精油按摩手法视频教学华泰证券：柔软光模块上游中枢材料发展机遇

2026-06-08 14:24 点击次数：119

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　　华泰睿想

　　中枢不雅点

　　跟着连年800G、1.6T光模块需求量的快速进步，以及夙昔3.2T时间的渐行渐近，咱们看好光模块上游中枢材料的发展机遇，本篇论说中咱们将系统梳理InP衬底与薄膜铌酸锂两大产业的成长逻辑：其中InP衬底当作光芯片上游中枢原材料，受益于光芯片厂商需求的快速拉动，行业呈现供不应求趋势；薄膜铌酸锂制备的调制器基于低功耗、高带宽等上风，夙昔有望于3.2T可插拔决策中迎来导入窗口期，产业链成漫空间广袤。

　　AI算力带动光模块需求高增长，光芯片需求快速开释

　　跟着公共科技巨头络续加码AI算力投资，光模块产业链有望延续高景气度。字据LightCounting于2026年1月发布的预测，公共高速度（100G及以上）数通光模块市集鸿沟有望由2025年的164亿好意思金膨胀至2031年的521亿好意思金。光芯片当作光模块上游中枢原材料之一，需求侧亦呈现高增趋势，字据源杰科技港股招股书中的数据，揣摸公共光芯片市集鸿沟有望由2024年的26亿好意思金增长至2030年的229亿好意思金，对应期间CAGR达44%。

　　InP衬底：光芯片带动需求侧高增长，行业具备高壁垒

　　InP衬底是光芯片出产的中枢原材料之一。跟着2026~2027年800G、1.6T光模块拉动光芯片需求快速开释，Lumentum、Coherent、源杰等国表里光芯片头部厂商均在积极推论产能，InP衬底有望迎高速发延期，Yole预测，公共InP衬底销量（折合为2英寸）有望从2019年的50万片增多至2026年的128万片。公共InP衬底市集高度荟萃，日本住友、北京通好意思及日本JX占据超90%份额，咱们以为需求高增长配景下，新晋厂商有望取得导入机遇。InP衬底的产业链可分袂为高纯原材料（红磷、金属铟等）→多晶合成→单晶滋长、衬底制备→外延片/光芯片。

　　薄膜铌酸锂：3.2T渐行渐近，产业迎广袤发展机遇

　　跟着3.2T光模块的渐行渐近，单通谈调制速度需达到400G，咱们判断薄膜铌酸锂相比于纯硅光调制用具备超高带宽、低功耗、低损耗等方面上风，有望迎来导入机遇。字据咱们的测算，2031年仅3.2T光模块带动的薄膜铌酸锂调制器市集空间有望近30亿元，对应2029~2031年CAGR达271%。薄膜铌酸锂的产业链可分袂为铌酸锂晶体材料→薄膜铌酸锂晶圆→薄膜铌酸锂调制器（芯片），各要道均具备较高期间壁垒，我国厂商在以上各鸿沟均已取得积极阐述，咱们看好关联厂商在3.2T时间有望招待广袤发展机遇。

　　产业链中枢要道厂商梳理

　　InP衬底：【高纯铟】、【多晶合成】、【InP衬底】关联公司。薄膜铌酸锂：【铌酸锂晶体材料】、【薄膜铌酸锂晶圆】、【薄膜铌酸锂调制器（芯片）】关联公司。具体公司梳理，请见研报原文。

　　风险教导：云厂商成本开支插足不足预期；行业竞争加重；本研报中触及到未上市公司或未袒护个股骨子，均系对公开信息的整理，并不代表团队对该公司、该股票的推选或袒护。

　　正文

　　柔软光模块上游中枢材料发展机遇：InP、薄膜铌酸锂

　　大集群建立驱动AI算力产业链景气度不息进步。跟着公共科技大厂络续加码对AI算力的插足，大鸿沟GPU集群当作本轮生成式AI算力基建的中枢形态，其建立设施仍在快速鞭策。举例博通在2025年6月事迹会中重申，揣摸至少三家客户将在2027年部署百万卡集群；Marvell在2025年6月的投资者日中亦强调，客户的百万卡集群正在加快建立；Meta在2025年10月OCP的演讲中提到，正在权术夙昔数个GW级别的超大集群。咱们判断大集群的建立将不息驱动GPU、光模块、交换机等算力硬件需求的快速开释。

　　光互联：大集群中枢拼图，恒久成漫空间广袤。现在光互联基于长距离传输等上风，已日常应用于大集群的Scale out集聚，即跨机柜、大鸿沟互联场景；恒久来看，咱们以为光通讯有望向Scale up集聚渗入，即机柜里面的互联场景。现时Scale up集聚由于互联距离较短、互联鸿沟有限，仍可络续使用铜贯穿期间；而夙昔跟着信号传输速度的进一步进步、Scale up域的进一步扩展至多机柜，光互联上风有望徐徐浮现，从而取得渗入率进步机遇。咱们以为恒久来看，跟着光互联向Scale up的渗入，光通讯在AI基础设施投资中的价值量占比有望进一步进步。

　　公共光模块市集模块有望快速膨胀。在AI算力需求快速进步的带动下，公共高速数通光模块市集鸿沟有望快速膨胀。字据LightCounting于2026年1月发布的论说《Optics for AI Clusters》，公共高速度（100G及以上）以太网光模块市集鸿沟有望由2025年的164亿好意思金膨胀至2031年的521亿好意思金。

　　看好光模块上游中枢材料发展机遇——InP、薄膜铌酸锂。跟着连年800G、1.6T光模块需求量的快速进步，以及夙昔3.2T时间的渐行渐近，咱们看好光模块上游中枢材料的发展机遇，本篇论说中咱们将系统梳理InP衬底与薄膜铌酸锂两大产业的成长逻辑：其中InP衬底受益于光芯片厂商需求的快速拉动，行业呈现供不应求趋势；薄膜铌酸锂基于低功耗、高带宽等上风，有望于3.2T可插拔决策中迎来导入窗口期，产业链成漫空间广袤。

　　InP衬底：光芯片带动需求侧高增长，行业具备高壁垒

　　光芯片中枢上游原材料，衬底行业迎广袤发展机遇

　　光芯片：需求端快速开释。跟着800G、1.6T等高速光模块需求有望络续快速进步，光芯片（如100G/200G EML、70 mW /100mW CW光源等）当作光模块上游中枢物料，需求侧亦有望快速开释。字据源杰科技港股招股书中的数据，公共光芯片市集鸿沟有望由2024年的26亿好意思金增长至2030年的229亿好意思金，对应期间CAGR为44%。按下流市集拆分，数据中心占据主导地位；按照光芯片期间门路拆分，EML、CW光芯片为主力居品。

　　公共光芯片供应商积极扩产搪塞产能瓶颈。公共光芯片头部厂商均在积极推论产能：Lumentum于2026年2月的事迹证明会中示意，有望提前已毕既定的扩产认识（公司在此前2025年11月示意，光芯片产能揣摸在夙昔几个季度内推论40%）；Coherent于2026年3月北好意思OFC中重申正在积极进步6英寸InP晶圆的产能，且揣摸在年底前将公司光芯片的总产能已毕翻倍；源杰科技在2026年3月的投资者关系纪录表中示意，跟着光芯片需求增多，公司正稳步鞭策产能进步责任。

　　揣摸光芯片行业供不应求具备较长不息性。咱们判断公共光芯片供不应求态势具备较长不息性。一方面，不才游需求侧高增长的配景下，行业供给端扩产时刻周期较长，举例采购开辟（MOCVD等）、产能爬坡等均需要一定时刻；另一方面，行业具备较高准初学槛，行业口头较为荟萃。字据源杰科技港股招股书，光芯片行业发展存在客不雅肆意，包括产能扩产周期长、期间壁垒高而高端产能荟萃、中短期内中枢材料与开辟受限、供应链口头失衡等，无法完好意思吹法螺下流市集快速增长的需求，合座市集呈现供不应求的态势；具备先进期间才气（包括外延滋长、高精度光栅刻蚀）且在运营成果和快速反应才气方面享有上风的厂商，省略更好地吹法螺严苛条目，加入国际中枢供应链。字据Lumentum公司CEO于2026年4月接管媒体采访时示意，公司正越来越跟不上需求，仅需两个季度即可将2028年的产能一起售罄，现在来看，这一轮行业周期至少还能督察5年摆布的景气不息性。

　　衬底是光芯片的中枢基础材料，InP衬底应用日常。衬底是半导体器件制造过程顶用于维持和构建其他功能层的基础材料，可通过气相外延滋长等期间在其名义生成相应材料和结构。现在光模块中所需光芯片频繁以Ⅲ-Ⅴ族化合物为衬底材料。字据云岭光电公开转让证明书，其光芯片居品是在衬底上经过外延滋长、晶圆制造、芯片加工等多个要道制备而来。按照材料分袂，光芯片衬底主要包括磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）两种体系，其中GaAs衬底主要用于制备VCSEL芯片，用于多模光模块中，应用场景为短距离光互联；InP衬底则是用于制备CW、DFB、EML等边辐照激光器芯片和PIN、APD探伤器芯片的中枢原材料，主要用于单模光模块中，应用场景更为日常。

　　衬底是光芯片厂商的中枢原材料，在BOM中占比较高。据国内光芯片龙头厂商源杰科技招股证明书中表露的数据，公司2022年1~6月的主要原材料采购中，衬底的采购金额占比为27.21%，是BOM中最大的单一品类。其次包括金靶、特殊气体（主要包括高纯氢、磷化氢、液氮等）、三甲基铟、光刻胶、封装材料（包括管帽等）等。

　　AI算力需求推动衬底需求不息膨胀精油按摩手法视频教学，行业具备高门槛

　　市集鸿沟：2026年公共InP市集鸿沟有望达到2.02亿好意思元，下流应用以光模块为中枢。字据北京通好意思招股书援用Yole的预测，公共InP衬底销量（折合为2英寸）将从2019年的49.9万片增多至2026年的128.1万片，对应2020-2026年CAGR为14.42%；公共InP衬底市集鸿沟将从2019年的0.89亿好意思元增长至2026年的2.02亿好意思元，2020-2026年CAGR为12.42%。

　　分品类来看，InP衬底主要应用下流器件包括光模块器件、传感器件、射频器件：1）光模块器件：受益于东谈主工智能驱动的数据中心建立，公共光模块需求不息增多，据Yole预测，2026年公共光模块器件InP衬底市集鸿沟将达到1.57亿好意思元，约占公共InP衬底市集鸿沟的77.7%。2）传感器件：InP衬底可被用于制造可衣裳开辟中的传感器，以及VR眼镜、汽车雷达等居品，据Yole预测，2026年公共传感器件InP衬底市集鸿沟将达到0.32亿好意思元，约占公共InP衬底市集鸿沟的15.8%；3）射频器件：InP衬底在制造高频高功率器件、光纤通讯、无线传输、射电天体裁等射频器件鸿沟存在应用市集，据Yole预测，2026年公共射频器件InP衬底市集鸿沟将达到0.13亿好意思元，约占公共InP衬底市集鸿沟的6.4%。

　　光芯片需求推动InP衬底市集景气度快速进步。揣摸夙昔，咱们以为跟着高速光模块市集鸿沟连年来的快速膨胀推动下，其在InP下流市集中的比重有望进一步进步。且探究到相较于此前主流应用于电信市集的DFB芯片等中低端居品，200G EML、超大功率CW光源（400mW，夙昔有望应用于CPO场景）等高端居品的出产难度更高、良率较低、芯单方面积更大，所破费的InP衬底数目揣摸更多，或有望推动InP衬底需求量呈现加快增长趋势。好意思国AXT（北京通好意思控股母公司）于2026年2月事迹会中提到，免费一级毛片精品受益于AI数据中心需求的快速膨胀，公司InP衬底挤压订单达6000万好意思金，创历史新高，且多个客户正在与公司签署恒久左券；公司正积极扩产，认识至2026年底将产能较2025年底进步一倍。

　　市集口头：字据Yole的统计，InP衬底材料市集头部企业荟萃度较高，2020年CR3约90%。InP衬底的制造包含多晶合成（可外购）、单晶滋长、切割、研磨、抛光、清洗、测试等多个要道，工艺要道复杂，期间门槛较高；同期，InP衬底徐徐向更大尺寸迭代，对企业的开辟、工艺、期间积聚条目较高，进一步进步行业准初学槛。据Yole数据，2020年公共前三大厂商占据InP衬底市集 90%以上市集份额，其中Sumitomo（日本住友）为公共第一大厂商，占比为42%；北京通好意思位居第二，占比36%；日本JX位居第三，占比13%。

　　InP衬底的上游中枢原材料之一主要为InP多晶，字据北京通好意思招股书，由于自然界中不存在自然的InP多晶，因此需要将高纯铟、红磷等原料通过东谈主工合成制备为InP多晶；InP衬底厂商基于InP多晶等原材料进行InP单晶的滋长，再经过切割、磨边、研磨、抛光、清洗等多谈工艺后真空封装成衬底，其中InP单晶的滋长是衬底厂商的中枢工艺；InP衬底的下搭客户群体主要包括外延片厂商（将衬底制备为外延片后，再销售给光芯片厂商），或径直销售给光芯片厂商，其中外延片要道的代表厂商包括联亚光电、IQE等。

　　高纯铟制备

　　InP衬底对上游原料金属铟的纯度条目较高（6N及以上）。字据株洲科能招股书，铟属于稀散金属，因其具有可塑性、延展性、光渗入性和导电性等秉性，而以化合物、合金的格式被日常应用。现在，铟的主要应用鸿沟是平板骄气鸿沟，包括ITO靶材及新兴的铟镓锌氧化物（IGZO）靶材，占公共铟消费量的80%；其次是半导体鸿沟、焊料和合金鸿沟、太阳能发电鸿沟等。出产ITO靶材关于铟的纯度条目一般在4N5及以上，出产化合物半导体材料（举例InP衬底等）关于铟的纯度条目则更高，一般在6N及以上。

　　高纯铟的制备过程具备较高期间和工艺壁垒。铅锌冶真金不怕火厂在冶真金不怕火主金属过程中会将铟当作副产物概括期骗回收，并通过冶真金不怕火制取粗铟；再生铟回收厂通过将回收的尾料规复制取粗铟；粗铟经进一步高超提纯后形成精铟（纯度在4N-4N5）。精铟经高纯化贬责后形成高纯铟（5N以上）。高纯铟制备过程中的提纯、电解、定向结晶等要道中均对应了较高的期间和工艺门槛：企业要已毕高纯稀散金属的产业化，除了要攻克制备和量产要道的症结期间以外，还要通过多量的出产实际以进步出产工艺、完善出产过程、升级出产开辟。

　　国内高纯铟供应口头荟萃，CR4达98%。字据株洲科能招股书中的数据，国内高纯铟市集的供应口头较为荟萃，2024年株洲科能市占率达49%；其次为北京通好意思（25%）、广东先导（16%）、楚雄川至（8%），CR4达98%。

　　InP多晶合成

　　字据北京通好意思招股书，化合物半导体材料是由两种或两种以上元素以信赖的原子配比形成的化合物，由于自然界中不存在自然的InP多晶，因此领先需要通过东谈主工合成制备该等化合物多晶，将两种高纯度的单质元素按一定比例装入PBN坩埚中，在高温高压环境下合成化合物多晶。现在日本Rasa、英国Wafer Technology等厂商已可已毕高纯度InP多晶的合成；部分衬底厂商（如日本住友、北京通好意思）也已毕了InP多晶的好处。

　　InP单晶滋长&衬底制备

　　字据北京通好意思招股书，化合物半导体单晶滋长的制备方法有水平布里奇曼法（HB）、垂直布里奇曼法（VB）、液封切克劳斯基法（LEC）、垂直梯度冷凝法（VGF）。现在主流应用使用的InP衬底一般为2-6英寸，VGF法出产单晶是主流且最为高效的方法之一。北京通好意思的控股股东AXT早在1986年即入手使用VGF法贸易化出产InP单晶，相较其他方法而言，VGF法的先进之处如下：①在单晶直径上，现在HB法滋长的单晶直径最大一般是3英寸，LEC法滋长的单晶直径最大不错到12英寸，然而使用LEC法滋长单晶晶体开辟插足成本高，且滋长的晶体不均匀且位错密度大。现在VGF法和VB法滋长的单晶直径最大可达8英寸，滋长的晶体较为均匀且位错密度较低；②在单晶质地上，VGF法滋长的晶体位错密度低且出产成果牢固；③在出产成本上，HB法的成本最低，LEC法的成本最高，VB法和VGF法出产的居品质能近似，然而VGF法取消了机械传动结构，可助力降本。

　　InP衬底不休向更大尺寸演进，头部光芯片厂商已罗致6英寸决策。InP衬底的直径越大，在单片衬底上可制造的光芯片数目越多，制造单元芯片的成本也越低。同期，正在播放+无码+4在圆形的衬底上制造矩形的芯片会使衬底旯旮处的一些区域无法被期骗，而衬底的直径越大，相对而言衬底旯旮的亏损会越小，有益于进一步缩小光芯片的成本。Coherent于2026年2月的事迹证明会中示意，公司光芯片产能的不息膨胀成绩于6英寸晶圆产能的进步：与3英寸晶圆相比，6英寸晶圆的光芯片产量可进步4倍以上，同期成本缩小50%以上。

　　6英寸居品关于衬底厂商单晶滋长工艺提议较高条目。单晶体扩径期间需要概括探究热场联想、扩径结构联想、晶体制备工艺联想等多方面的工艺划定；更大直径的衬底也对平整度、位错密度、名义颗粒度提议了更高的条目，跟着衬底尺寸的扩大，对化合物半导体单晶滋恒久间和衬底切磨抛洗期间的条目也不休提高。字据北京通好意思于2022年8月公布的招股书，北京通好意思和日本住友分别使用VGF和VB期间不错滋长出直径6英寸磷化铟单晶，日本JX使用LEC期间不错滋长出直径4英寸的InP单晶。AXT于2026年2月事迹会中提到，公司正重心增多对6英寸InP产线的投资，以吹法螺客户对EML、硅光等居品的需求。

　　国产厂商不息鞭策布局，紧合手InP衬底市集高景气机遇。1）云南锗业：公司于2026年4月3日发布公告，情愿控股子公司云南鑫耀实施“高品质磷化铟单晶片建立款式”，款式筹划总投资近1.9亿元，由云南鑫耀在现存产能基础上扩建一条年产30万片（折合4英寸筹划，其中包括6000片6英寸）高品质磷化铟单晶片出产线，最终达到年产45万片（折合4英寸）高品质磷化铟单晶片的产能。字据讯石光通讯此前于2025年8月的报谈，九峰山实验室在得手开发出6英寸InP基PIN结构探伤器和FP结构激光器的外延滋长工艺，这次期间突破中6英寸InP衬底融合方云南鑫耀的6英寸高品质InP单晶片产业化症结期间已已毕突破，量产在即。

　　2）珠海鼎泰芯源：字据博杰股份于2026年4月在交游所互动平台上的回应，博杰股份参股的珠海鼎泰芯源费力于以InP、GaSb为主的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶及衬底材料的国产化工作；由于下流光模块需求增长，InP衬底需求量相应增长，珠海鼎泰芯源正积极扩产中。

　　3）广东先导：字据南边日报于2026年2月的报谈，广东先导微电子（先导稀材旗下）自主研发的VGF法InP单晶滋恒久间，搭配低挫伤晶片抛光和超洁净名义清洗症结期间，得手产出低位错密度、电性能牢固、平整度高、名义洁净的6英寸InP衬底。其中，位错密度和平整度两项中枢期间筹划优于外洋同业，达到国内朝上、国际先进水平。

　　薄膜铌酸锂：3.2T渐行渐近，产业迎广袤发展机遇

　　跟着GPU/ASIC的不息迭代升级，数据中心光模块已已毕从400G到800G再到1.6T的演进，夙昔3.2T亦有望加快导入。现时400G~1.6T单模光模块的调制样貌主要有EML和硅光两种形态；而3.2T光模块中单通谈调制速度需达到400G，咱们判断薄膜铌酸锂（TFLN：thin-film lithium niobate）相比于纯硅光调制用具备超高带宽、低功耗、低损耗等方面上风，有望以更低功耗的样貌已毕单波400G的调制，从而迎来导入机遇。字据咱们的测算2031年薄膜铌酸锂调制器市集空间有望达3.82亿好意思金。薄膜铌酸锂的产业链可分袂为铌酸锂晶体材料→薄膜铌酸锂晶圆→薄膜铌酸锂调制器（芯片），咱们以为3.2T时间产业链有望招待广袤发展机遇。

　　AI算力不息迭代，3.2T光模块有望加快导入

　　AI算力不息迭代，3.2T光模块有望加快导入。跟着GPU/ASIC的不息迭代升级，数据中心光模块已已毕从400G到800G再到1.6T的演进，字据LightCounting于2026年1月发布的《Optics for AI Clusters》论说，2026年公共以太网光模块市集鸿沟有望达260.84亿好意思金，其中800G光模块占比为53.85%，1.6T占比达22.60%，二者统统渗入率较2023年进步53.67pct；在此趋势下，3.2T光模块也有望迎来加快导入，LightCounting揣摸2028年3.2T光模块市集鸿沟有望达13.96亿好意思金，2031年有望进步至240亿好意思金。

　　单波200G光信号的调制样貌：EML、硅光。按照光信号的调制样貌分袂，现时400G~1.6T单模光模块主要有EML和硅光两种形态，举例1.6T单模光模块的光信号可由8颗200G EML产生，也可由8通谈的硅光芯片PIC（每通谈200G）产生。字据Lumentum官网信息，200G EML已已毕量产出货；Tower官网于2024年11月晓示，基于其最新的硅光子（SiPho）平台，已入手为多家主要客户批量出产单通谈200G的1.6Tbps硅光子居品。

　　单波400G调制器判断：薄膜铌酸锂有望迎来导入。3.2T光模块中单通谈光信号调制速度需达到400G，对调制器的性能条目进一步进步。字据《好意思国贸易资讯》于2026年3月的报谈，HyperLight首席实施官张勉示意：“单通谈400G是TFLN上风浮现的一个典型例子。自然从带宽的角度来看，单通谈400G将很多期间推向了极限，但TFLN提供了满盈的带富有度，同期保持了低驱动电压。这不仅已毕了出色的可制造性，还显耀缩小了模块功耗。”咱们判断薄膜铌酸锂相比于纯硅光调制用具备超高带宽、低功耗、低损耗等上风，有望以更低功耗的样貌已毕单波400G的调制，从而在3.2T时间迎来导入机遇。

　　单波400GEML、硅光决策不息鞭策，助力3.2T居品落地。字据讯石光通讯于2026年3月20日报谈及公司官网新闻稿，OFC2026现场部分头部厂商展示了3.2T可插拔光模块居品。其中EML决策，Coherent、Lumentum等厂商展示了单通谈400G EML居品，且示意已通落后间考据；硅光方面，Coherent在OFC2026现场展示了单通谈400G的硅光光模块居品，此外赛勒科技等厂商也对单通谈400G的硅光芯片进行了展示。

　　单波400G薄膜铌酸锂决策亮相OFC，新一代调制决策有望已毕落地。字据江苏铌奥光电官网，公司在OFC 2026上展示了应用铌酸锂期间的400G/lane PAM4（1.6T DR4）、200G/lane PAM4（1.6T DR8/800G DR4）芯片，居品精确适配1.6T等下一代高速光模块需求，进一步夯实了国产薄膜铌酸锂决策的期间竞争力。国内厂商已毕期间展示与量产突破，也加快推动单波400G调制决策走向鸿沟化商用落地。

　　相比于硅光门路，薄膜铌酸锂具备显耀的超高带宽、低功耗、低损耗秉性。字据论文《铌酸锂晶体、单晶薄膜偏激在光芯片产业的夙昔布局》（陈昆峰、薛冬峰等，《前瞻科技》2025年第1期），铌酸锂调制器以其高速度、低功耗、高信噪比等优点，日常应用于超高速主线光通讯网、海底光通讯网、城域中枢网等鸿沟。大尺寸光刻期间、超低损耗波导加工工艺和异质集成等症结期间，推动了薄膜铌酸锂调制器的发展，使其得以维持1.6T和3.2T高速光模块应用。相比磷化铟、硅光和传统的铌酸锂等材料，薄膜铌酸锂具备超高带宽、低功耗、低损耗、小尺寸，以及可已毕晶圆级无数目出产等超越秉性，有望以更优旅途已毕单波400G的调制，从而迎来导入机遇。

　　薄膜铌酸锂调制器市集空间定量测算

　　字据咱们的测算，揣摸仅3.2T光模块所带动的薄膜铌酸锂调制器市集鸿沟有望于2031年达3.82亿好意思金（近30亿rmb），对应2029~2031年CAGR达271%。咱们基于如下假定：

　　1）字据LightCounting于2026年1月发布的《Optics for AI Clusters》论说，揣摸公共数通光模块（100G及以上）出货量有望由2025年的7542.0万只增长至2031年的3.3亿只，其中3.2T光模块出货量有望于2028年突破312.0万只，2031年将快速增长至1.2亿只。

　　2）咱们判断3.2T光模块有望入手引入薄膜铌酸锂作念调制决策，字据LightCounting的预测，2027~2031年薄膜铌酸锂在3.2T光模块中的渗入率揣摸分别为5.0%、10.0%、15.0%、20.0%、25.0%，对应3.2T光模块中薄膜铌酸锂居品出货量分别为1.7万只、31.2万只、420.5万只、1326.0万只、3109.3万只。

　　3）单机价值量方面，Gartner2025年预测，2026–2030年TFLN材料成今年复合降幅达20.0%，2030年较2025年下落70.0%以上。字据咱们假定，单只3.2T光模块中的薄膜铌酸锂调制器（芯片）运转价值量为30.0好意思金，且揣摸2027~2031年年降幅为20.0%，对应各年度单机价值量分别为30.0好意思金、24.0好意思金、19.2好意思金、15.4好意思金、12.3好意思金。

　　基于以上数据及假定测算，2031年公共数通光模块带来的薄膜铌酸锂调制器需求对应的市集鸿沟有望达3.82亿好意思金，对应2029~2031年CAGR达271%。

　　产业链梳理：高壁垒工艺构筑护城河，国产厂商深度参与

　　薄膜铌酸锂产业链从上游到下流可大约分袂为：铌酸锂材料晶体→薄膜铌酸锂晶圆→薄膜铌酸锂芯片（调制器）→末端的光模块厂商。其中光学级铌酸锂单晶的制取是产业链的最上游要道，此前该市集恒久被日本厂商操纵，现在国内的天通股份、南智芯材等厂商已已毕国产化突破；薄膜铌酸锂晶圆中枢工艺是在硅材料的衬底上进行键合等，国内头部厂商包括济南晶正、上海新硅团员等；薄膜铌酸锂调制芯片厂商则通过光刻、物理轰击刻蚀或化学机械抛光工艺，制备TFLN芯片，公共代表厂商包括江苏铌奥光电、Hyperlight等。

　　铌酸锂晶体制备

　　铌酸锂单晶是TFLN产业链的中枢上游要道。字据论文《铌酸锂晶体偏激应用概述》（孙军、郝永鑫等，《东谈主工晶体学报》2020年第六期），铌酸锂晶体是下流射频声学器件、高速光调制器、集成光子芯片等应用的载体，其产业化才气是整个这个词铌酸锂产业发展的底层守旧。单晶制造是决定下流器件性能上限、量产良率与成本划定的底层基础，具备较高的产业链地位。当作制备铌酸锂晶圆的中枢基底材料，其晶体齐全性、光学均匀性、尺寸规格决定了后续薄膜铌酸锂调制器的电光带宽、插入损耗等中枢地能。字据应用场景、性能条目与制备难度的互异，铌酸锂晶体可分为声学级与光学级两大品类。

　　声学级铌酸锂晶体面向压电声学器件应用，国内已已毕自主可控与鸿沟化量产。字据论文《铌酸锂晶体偏激应用概述》（孙军、郝永鑫等，《东谈主工晶体学报》2020年第六期），应用于压电器件的铌酸锂晶体期间筹划条目主要包括居里温度、单畴化和里面散射颗粒等，晶体中传播波长较长的机械波，对圭臬远比波长小的晶格舛误等不解锐，频繁把吹法螺压电应用的铌酸锂晶体称为声学级铌酸锂晶体。声学级铌酸锂材料被日常应用于智高东谈主机、5G基站的射频前端SAW/BAW滤波器，是电子开辟信号滤波、抗打扰的中枢元器件；除此以外也用于工业/医疗激光的声光调制器、压电传感器、精密驱动器件。国内天通股份等企业已已毕声学级铌酸锂晶体的自主可控。

　　光学级铌酸锂晶体面向高端光电器件应用，期间门槛高于声学级。字据论文《铌酸锂晶体偏激应用概述》（孙军、郝永鑫等，《东谈主工晶体学报》2020年第六期），除压电效应外，铌酸锂晶体的光电效应颠倒丰富，其中电光效应、非线性光学效应性能超越，应用也最为日常，可用于制备电光调制器、相位调制器、集成光开关、电光调Q开关、电光偏转、高电压传感器、波前探伤、光参量震撼器以及铁电超晶格等器件。与压电应用不同，这些触及光学传输的应用对铌酸锂晶体提议了不同的条目。领先，光学应用的铌酸锂晶体中传播的是光波，波长从数百纳米到几微米，不仅需要晶体具有优异的光学均匀性，还需要对圭臬不错和光波波长相比较的晶体舛误进行严格划定；其次，当作光学应用频繁需要划定光波在晶体中传播时的相位、偏振等参量，这些参量与晶体的折射率大小和折射率漫步径直关联，因此还需尽可能废除晶体的里面应力和外部应力，幸免光弹效应导致的应力双折射。吹法螺光学应用需求的铌酸锂晶体频繁被称为“光学级铌酸锂晶体”。

　　光学级铌酸锂晶体国产替代不息鞭策。光学铌酸锂材料熟察产的最大瓶颈是光学品质的一致性，包括晶体材料自己的组分、舛误、微结构的一致性，以及电光学机械抛光工艺加工晶片的精度等。此前，主要日本企业在光学级铌酸锂滋长朝上。现在国内厂商中，天通股份、南智芯材、恒元半导体等厂商均已已毕了光学级铌酸锂的量产，为全产业链的国产化提供了坚实基础。字据天通股份2025年半年报，2025年6月，公司也曾得手制备出12英寸光学级铌酸锂晶体，为下一代高速光电子器件的大鸿沟、低成本、高性能制造奠定了材料基石，推动关联产业链向更高集成度、更低功耗和更强功能的标的加快发展；字据苏州市科技局于2026年2月的报谈，南智芯材已完成6英寸、8英寸到12英寸的全系列居品布局，徐徐糟塌外洋在大尺寸光学级铌酸锂市集的操纵处所，推动国产化进度全面提速。

　　薄膜铌酸锂晶圆滋长

　　高精度径直键合期间是制备薄膜铌酸锂晶圆的中枢工艺。薄膜铌酸锂晶圆的中枢结构，是将百纳米级的铌酸锂单晶薄膜，通过键合工艺与衬底晶圆（频繁为硅、二氧化硅衬底）已毕原子级别的精确连合，形成“衬底-绝缘层-铌酸锂薄膜”的异质集成结构。铌酸锂单晶自己脆性极强，要已毕纳米级厚度的单晶薄膜无挫伤剥离、无舛误键合，对键合环境洁净度、晶圆名义平整度、键合温度与压力划定、应力废除期间均有着近乎严苛的条目。现在公共主流的量产决策为离子注入改性与径直键合的协同工艺，其中键合工艺的良坦爽接决定了晶圆的量产成本，键合强度与界面质地径直决定了晶圆的光学损耗与恒久可靠性，是已毕薄膜铌酸锂晶圆从实验室研发到鸿沟化商用的中枢卡点。

　　国内龙头厂商领跑，率先已毕产业化量产。字据论文《铌酸锂晶体、单晶薄膜偏激在光芯片产业的夙昔布局》（陈昆峰、薛冬峰等，《前瞻科技》2025年第1期），济南晶正为国内薄膜铌酸锂晶圆的朝上企业，是公共少有的已毕4-8英寸全尺寸、声学级+光学级全品类袒护的厂商，可已毕300-900nm薄膜厚度的精确可控，中枢居品在厚度均匀性、舛误扼制、光学损耗等症结筹划上均处于公共顶尖水平，亦然业内首家已毕8英寸X轴光学级铌酸锂薄膜量产的企业，守旧了公共90%以上的铌酸锂薄膜器件研发与产业化落地，期间壁垒与产业地位较高。国内厂商上海新硅团员已已毕4-6英寸居品布局，进一步完善了国内LNOI产业链的供给梯队。

　　薄膜铌酸锂调制器（芯片）制备

　　光刻与刻蚀工艺构筑中枢期间壁垒，径直决定波导性能与芯片良率。与传统的硅基或磷化铟材料不同，将连气儿的薄膜滚动为已毕光信号传输的“脊型波导”濒临着极大的工艺挑战。字据乔玲玲等2021年4月在《光学学报》发表的特邀综述《超低损耗铌酸锂光子学》，铌酸锂材料在常温下具备极强的化学牢固性和物理硬度，旧例的化学湿法腐蚀和传统的反应离子刻蚀（RIE）均无法在此材料上加工出平滑的微纳结构。因此，高质地薄膜图形化的已毕，依赖于高精度深紫外光刻（DUV）进行图案改革，并连合高能氩离子束（Ar+）纯物理轰击刻蚀或化学机械抛光（CMP）工艺；李庚霖等2020年5月7日发表在《物理学报》上《绝缘体上铌酸锂薄膜片上光子学器件的商酌阐述》商酌骄气，图形化过程中的工艺精度——额外是刻蚀深度、侧壁倾角以及亚纳米级省略度，径直决定了芯片的光学散射损耗与电光调制成果。

　　400G薄膜铌酸锂调制芯片产业化落地加快。字据Business Wire于2026年3月的报谈，HyperLight晓示推出其145GHz封装强度调制器（IM），该调制器省略维持每通谈448Gbps的强度调制径直检测（IMDD）、260GBaud关联链路以及宽带射频光子学系统。江苏铌奥光电于OFC 2026展示了400G PAM4 （1.6T DR4）、200G PAM4 （1.6T DR8/800G DR4）芯片、128/256GBaud PDM-IQ 芯片、超高带宽（>130 GHz）芯片等TFLN芯片与器件的最新址品。字据安孚科技2025年年报，2025年易缆微得手完成公共首发硅光异质集成薄膜铌酸锂单波400Gbps光芯片，期间水平处于公共朝上地位，可吹法螺1.6T/3.2T光模块、光电共封装CPO、全光交换OCS等新一代东谈主工智能算力中心应用场景需求。